5G基地局の無線周波数の統合が改善され続け、価格は、開発動向を改善する必要があります：6月に正式に中国の5Gシステムの動作周波数のリリースを実施し、広くガイダンスソリューションを募集するために使用することができ、3.3GHz〜3.6GHz、4.8GHz〜5.0GHzだけでなく、24.75GHz〜27.5GHz、37GHz〜42.5GHzに適用されることを計画している。5Gに適用され、ミリ波帯は主に企業市場の経済的期待を超えて5Gに使用される予定である。 5G基地局では、従来のBBUとRRUの分離管理モードの研究が徐々にRFIDモジュールとアンテナの融合へと進化している。 混合ビームファウリングアーキテクチャ設計は、5G基地局アンテナRF情報システム主流のネットワークアーキテクチャの変更傾向になることが期待され、RFデバイスのユーザー数が劇的に増加するように見えた、異なるボリュームの需要を満たすために、統合の高度なRF制御システムが得られるようになり、サービスの全体的な価格は、コミュニティの動向に大幅な増加を持っていますwhat is a distinguishing feature of 5g mmwave。
ミリ波アンテナのRF設計と製造の高い障壁は、低周波数帯のアレイアンテナと比較して、ミリ波アレイアンテナは、小型、軽量、広帯域、ソリッドステートおよび統合などを持っています。 半導体材料は高周波に適しておらず、従来のマイクロ波通信回線は適していない。 中国の5Gミリ波基地局RFシステム市場は、中立条件下で2019年に24億元、2020年に72億元、2021年に120億元に達すると予想される。
ミリ波RFデバイスの主要技術動向:マイクロストリップラインやリボンラインなどの従来の導波路構造やマイクロ波伝送媒体は、体積、損失、性能、集積化などの要件を満たすことができないため、qcm6490新しいタイプの導波路構造として基板集積導波路(SIW)が5Gミリ波RFシステムで広く使用されると予想される。 MEMS RFデバイスは、5Gミリ波の需要下で急成長が見込まれている。 データによると、RF MEMSの世界市場規模は2017-2022年にCAGR 35%で成長し、同期間のMEMS市場のCAGR 8.9%を大きく上回った。 窒化ガリウム(GaN)やガリウムヒ素(GaAs)を含む化合物半導体は、5Gミリ波高周波帯RFシステムで幅広い応用が見込まれている。世界のGaN RFデバイス市場規模は、2010年には6300万ドルに過ぎなかったが、2019年には5Gが業界の急成長を牽引し、2020年には約6億2000万ドルに達する見込みである。 ミリ波RFスイッチやその他のデバイスは、フェライト材料やPINダイオードから製造することができる。 フェライト・スイッチは、挿入損失、電力容量、信頼性の面で大きな利点があり、レーダー・システムですでに広く使用されており、5Gミリ波デバイスでも広く使用される可能性がある。
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